INTERDIFUSÃO DE IN/GA VERSUS ACOPLAMENTO ELETRÔNICO EM PONTOS QUÂNTICOS DUPLOS AUTO-ORGANIZADOS DE INAS/GAAS CRESCIDOS POR MBE SOBRE SUBSTRATOS DE GAAS (001)
Palavras-chave:
Pontos Quânticos (QDs), Epitaxia por Feixe Molecular (MBE)Resumo
O estudo aborda o crescimento de pontos quânticos (QDs) de InAs/GaAs utilizando a técnica de Epitaxia por Feixe Molecular (MBE), focando nas propriedades ópticas dos QDs auto-organizados, especialmente em função da espessura da camada espaçadora de GaAs e do número de camadas de QDs empilhados. A análise das amostras revela um comportamento bimodal na distribuição do tamanho dos QDs, com emissão de diferentes energias associadas a diferentes tamanhos das ilhas. O efeito do empilhamento das camadas e a espessura da camada espaçadora influenciam o deslocamento da emissão óptica, com efeitos de “blue-shift” e “red-shift” observados, que são explicados pela competição entre acoplamento eletrônico e o efeito de “intermixing” durante o crescimento. A utilização de camadas espaçadoras mais espessas leva a um aumento na homogeneidade dos QDs e um deslocamento para energias menores.
